Этот модуль использует новейшие мощные RF LDMOS-транзисторы, что обеспечивает высокую производительность и надежность. Встроенные функции управления и мониторинга, а также системы защиты гарантируют стабильную и безопасную работу устройства. Коэффициент усиления мощности составляет 47 дБ, а выходной импеданс равен 50 Ом, что обеспечивает оптимальные условия для широкополосного подавления.

Модуль обладает полупроводниковой конструкцией класса AB, что делает его легким и компактным, а также обеспечивает высокую надежность и долговечность. Благодаря мгновенной сверхширокополосной связи, устройство способно эффективно работать в условиях, требующих быстрой реакции и высокой производительности.

Этот модуль может быть использован в различных сценариях, где необходимо обеспечить защиту от дронов, таких как охрана стратегически важных объектов, мероприятия с массовым скоплением людей или защита частной собственности. Легкость и компактность модуля позволяют легко интегрировать его в различные системы защиты и мониторинга.

Основные преимущества:

• Высокая мощность и эффективность: Модуль способен генерировать мощность до 50 Вт, что обеспечивает эффективное подавление сигналов дронов в диапазоне 970-1100 МГц.

• Современные компоненты: Использование новейших RF LDMOS-транзисторов обеспечивает высокую производительность, надежность и долговечность устройства.

• Встроенные функции управления и защиты: Наличие встроенных схем управления, контроля и защиты гарантирует стабильную и безопасную работу модуля в различных условиях эксплуатации.

• Компактность и легкость: Полупроводниковая конструкция класса AB делает модуль компактным и легким, что облегчает его интеграцию в различные системы и установки.

• Мгновенная сверхширокополосная связь: Способность устройства обеспечивать мгновенную сверхширокополосную связь позволяет быстро реагировать на появление дронов и эффективно подавлять их сигналы.

Технические характеристики:

• Диапазон частот: 970-1100 МГц
• Выходная мощность: до 50 Вт
• Коэффициент усиления мощности: 47 дБ
• Выходной импеданс: 50 Ом
• Полупроводниковая конструкция: Класс AB
• Встроенные схемы управления, контроля и защиты
• Выход РЧ-разъема: 2.8 мм (K), SMA, гнездо
• Разъем интерфейса постоянного тока: A1 VCC +28 В; A2 GND
• Подавление помех: ≥65 дБм
• Подавление гармоник: ≥11 дБм
• Напряжение питания VDC: 24 В - 29.5 В
• Потребляемый ток при Pout=30~40 Вт: 4.87 A
• Рабочая температура: -30°C ~ +60°C
• Монтажный размер: 121 x 26 мм
• Размеры: 128 x 35 x 19 мм
• Вес: около 150 г